IXTQ62N15P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ62N15P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 350 W
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 62A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ62N15P引脚图与封装图
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在线购买IXTQ62N15P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ62N15P | IXYS Semiconductor | 150V 62A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-3P | 搜索库存 |
替代型号IXTQ62N15P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTQ62N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO N-CH 150V 62A | 当前型号 | 150V 62A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-3P | 当前型号 |
| 型号： IXTP62N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-Channel 150V 62A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTQ62N15P和IXTP62N15P的区别 |
| 型号： IXTA62N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 150V 62A | 功能相似 | D2PAK N-CH 150V 62A | IXTQ62N15P和IXTA62N15P的区别 |
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