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IXTP62N15P、IXTQ62N15P、IXTA62N15P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP62N15P IXTQ62N15P IXTA62N15P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备150V 62A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-3PD2PAK N-CH 150V 62A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 350 W 350 W 350 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 62A 62A 62A

上升时间 - 38 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)

下降时间 - 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 350W (Tc) 350W (Tc) 350W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.04 Ω - 33 mΩ

阈值电压 5.5 V - 5.5 V

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 150 V

长度 10.66 mm 15.8 mm 9.65 mm

宽度 4.83 mm 4.9 mm 10.41 mm

高度 9.15 mm 20.3 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -