IXFR30N110P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR30N110P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 320W Tc
漏源极电压Vds 1100 V
连续漏极电流Ids 16A
输入电容Ciss 13600pF @25VVds
耗散功率Max 320W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR30N110P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFR30N110P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFR30N110P | IXYS Semiconductor | ISOPLUS N-CH 1100V 16A | 搜索库存 |
替代型号IXFR30N110P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFR30N110P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS N-CH 1100V 16A | 当前型号 | ISOPLUS N-CH 1100V 16A | 当前型号 |
| 型号： IXFR26N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1000V 15A | 功能相似 | ISOPLUS N-CH 1000V 15A | IXFR30N110P和IXFR26N100P的区别 |