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IXFR26N100P、IXFR30N110P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFR26N100P IXFR30N110P

描述 ISOPLUS N-CH 1000V 15AISOPLUS N-CH 1100V 16A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-247-3 ISOPLUS-247

极性 N-CH N-CH

耗散功率 290W (Tc) 320W (Tc)

阈值电压 6.5 V -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1100 V

连续漏极电流(Ids) 15A 16A

上升时间 45 ns -

输入电容(Ciss) 11900pF @25V(Vds) 13600pF @25V(Vds)

下降时间 50 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 290W (Tc) 320W (Tc)

封装 TO-247-3 ISOPLUS-247

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free