IXTQ120N20P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ120N20P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 714 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
下降时间 31 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 714W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ120N20P引脚图与封装图
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在线购买IXTQ120N20P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ120N20P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin3+Tab TO-3P | 搜索库存 |
替代型号IXTQ120N20P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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