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IXFK120N20P、IXTQ120N20P、IXFH120N20P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK120N20P IXTQ120N20P IXFH120N20P

描述 N沟道 200V 120ATrans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin(3+Tab) TO-3PN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.022 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 714W (Tc) 714 W 714 W

阈值电压 5 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - - 120 A

上升时间 35 ns 35 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)

下降时间 31 ns 31 ns 31 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 714W (Tc) 714W (Tc) 714000 mW

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 21.46 mm

封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15