IXTK88N30P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK88N30P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 600W Tc
漏源极电压Vds 300 V
输入电容Ciss 6300pF @25VVds
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTK88N30P引脚图与封装图
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在线购买IXTK88N30P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK88N30P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |
替代型号IXTK88N30P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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