IXTA102N15T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA102N15T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 18 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 455 W
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 102A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 5220pF @25VVds
额定功率Max 455 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 455W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA102N15T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTA102N15T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA102N15T | IXYS Semiconductor | D2PAK N-CH 150V 102A | 搜索库存 |
替代型号IXTA102N15T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA102N15T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 N-CH 150V 102A | 当前型号 | D2PAK N-CH 150V 102A | 当前型号 |
| 型号： IXFA102N15T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263AA N-CH 150V 102A | 类似代替 | TO-263AA N-CH 150V 102A | IXTA102N15T和IXFA102N15T的区别 |