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IXFA102N15T、IXTA102N15T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFA102N15T IXTA102N15T

描述 TO-263AA N-CH 150V 102AD2PAK N-CH 150V 102A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 455W (Tc) 455 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 102A 102A

输入电容(Ciss) 5220pF @25V(Vds) 5220pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 455W (Tc) 455W (Tc)

通道数 - 1

漏源极电阻 - 18 mΩ

漏源击穿电压 - 150 V

上升时间 - 14 ns

额定功率(Max) - 455 W

下降时间 - 22 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.41 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free