
通道数 1
漏源极电阻 900 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 12.5A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFH13N100 | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 1000V 12.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFH13N100 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 1000V 12.5A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 1000V 12.5A | 当前型号 | |
型号: STP80NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IXFH13N100和STP80NF10的区别 | |
型号: STP80NF55-06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V | IXFH13N100和STP80NF55-06的区别 | |
型号: IXFK64N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-264 N-Channel 500V 64A 85mohms 8.7nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V | IXFH13N100和IXFK64N50P的区别 |