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IXFH13N100

IXFH13N100

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-247AD N-CH 1000V 12.5A

N-Channel 1000V 12.5A Tc 300W Tc Through Hole TO-247AD IXFH


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD


贸泽:
MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 12.5A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247


IXFH13N100中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 900 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1000 V

连续漏极电流Ids 12.5A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 4000pF @25VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFH13N100引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXFH13N100 IXYS Semiconductor TO-247AD N-CH 1000V 12.5A 搜索库存
替代型号IXFH13N100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFH13N100

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-CH 1000V 12.5A

当前型号

TO-247AD N-CH 1000V 12.5A

当前型号

型号: STP80NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IXFH13N100和STP80NF10的区别

型号: STP80NF55-06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

IXFH13N100和STP80NF55-06的区别

型号: IXFK64N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264 N-Channel 500V 64A 85mohms 8.7nF

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V

IXFH13N100和IXFK64N50P的区别