IXFL38N100Q2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFL38N100Q2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 280 mΩ
耗散功率 380 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 13500pF @25VVds
额定功率Max 380 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 380W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.21 mm
高度 26.42 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFL38N100Q2引脚图与封装图
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在线购买IXFL38N100Q2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFL38N100Q2 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 29A 3Pin3+Tab ISOPLUS 264 | 搜索库存 |
替代型号IXFL38N100Q2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFL38N100Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS264 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 29A 3Pin3+Tab ISOPLUS 264 | 当前型号 |
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