IXFN340N06
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN340N06中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 700 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 340A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 16800pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN340N06引脚图与封装图
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在线购买IXFN340N06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN340N06 | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 60V 340A | 搜索库存 |
替代型号IXFN340N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFN340N06 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 N-CH 60V 340A | 当前型号 | SOT-227B N-CH 60V 340A | 当前型号 |
| 型号： IXFN180N07 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 70V 180A 4Pin SOT-227B | IXFN340N06和IXFN180N07的区别 |
| 型号： IXFN200N07 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 70V 200A 6mohms | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N07 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V | IXFN340N06和IXFN200N07的区别 |