IXFN180N07、IXFN340N06、IXFN200N07对比区别

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型号 IXFN180N07 IXFN340N06 IXFN200N07

描述 Trans MOSFET N-CH 70V 180A 4Pin SOT-227BSOT-227B N-CH 60V 340AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N07  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 3

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) - - 70.0 V

额定电流 - - 200 A

额定功率 - - 520 W

通道数 1 - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 6 mΩ - 0.006 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 520 W 700 W 520 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 70 V 60 V 70 V

漏源击穿电压 70 V - 70 V

连续漏极电流(Ids) - 340A 200 A

上升时间 60 ns 95 ns 60 ns

隔离电压 - - 2.50 kV

输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 16800pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 700 W 520 W

下降时间 60 ns 33 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)

长度 38.2 mm - 38.23 mm

宽度 25.07 mm - 25.42 mm

高度 9.6 mm - 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

材质 - Silicon Silicon

重量 - - 44.0 g

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC