IXFT13N80Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT13N80Q中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 13A
输入电容Ciss 3250pF @25VVds
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT13N80Q引脚图与封装图
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在线购买IXFT13N80Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT13N80Q | IXYS Semiconductor | TO-268 N-CH 800V 13A | 搜索库存 |
替代型号IXFT13N80Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT13N80Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 800V 13A | 当前型号 | TO-268 N-CH 800V 13A | 当前型号 |
| 型号： APT8065SVRG 品牌： 美高森美 封装： D3PAK N-CH 800V 13A 3.7nF | 功能相似 | D3PAK N-CH 800V 13A | IXFT13N80Q和APT8065SVRG的区别 |