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APT8065SVRG、IXFT13N80Q对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8065SVRG IXFT13N80Q

描述 D3PAK N-CH 800V 13ATO-268 N-CH 800V 13A

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 TO-268 TO-268-3

额定电压(DC) 800 V -

额定电流 13.0 A -

极性 N-CH N-CH

输入电容 3.70 nF -

栅电荷 225 nC -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13A

上升时间 11 ns -

输入电容(Ciss) 3050pF @25V(Vds) 3250pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 280000 mW 250W (Tc)

耗散功率 - 250W (Tc)

封装 TO-268 TO-268-3

产品生命周期 Active End of Life

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)