IXTA1R6N50D2

IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 500V 1.6A

N-Channel 500V 1.6A Tc 100W Tc Surface Mount TO-263 IXTA

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N沟道 500V 1.6A

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MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263

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Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin2+Tab TO-263AA

IXTA1R6N50D2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 1.6A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 645pF @25VVds

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTA1R6N50D2引脚图与封装图

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