额定电压DC 800 V
额定电流 15.0 A
额定功率 300 W
通道数 1
漏源极电阻 600 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4300pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFH15N80Q | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 800V 15A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFH15N80Q 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247AD N-Channel 800V 15A 600mΩ | 当前型号 | TO-247AD N-CH 800V 15A | 当前型号 | |
型号: SPP11N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-220AB N-Channel 800V 11A | 功能相似 | INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | IXFH15N80Q和SPP11N80C3的区别 | |
型号: SPW17N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-247 N-Channel 800V 17A | 功能相似 | INFINEON SPW17N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V | IXFH15N80Q和SPW17N80C3的区别 | |
型号: STW12NK80Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 800V 10.5A 750mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW12NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V | IXFH15N80Q和STW12NK80Z的区别 |