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IXFH15N80Q、STW12NK80Z、APT8052BFLLG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH15N80Q STW12NK80Z APT8052BFLLG

描述 TO-247AD N-CH 800V 15ASTMICROELECTRONICS  STW12NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 15.0 A 10.5 A 15.0 A

耗散功率 300 W 190 W 298 W

输入电容 - - 2.04 nF

栅电荷 - - 75.0 nC

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 10.5 A 15.0 A

上升时间 27 ns 18 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 4300pF @25V(Vds) 2620pF @25V(Vds) 2035pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns 20 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 190W (Tc) 298000 mW

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 600 mΩ 0.65 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源击穿电压 - 800 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) 300 W 190 W -

额定功率 300 W - -

通道数 1 - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -