IXFH10N100P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH10N100P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 380 W
阈值电压 6.5 V
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 3030pF @25VVds
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH10N100P引脚图与封装图
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在线购买IXFH10N100P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH10N100P | IXYS Semiconductor | TO-247 N-CH 1000V 10A | 搜索库存 |
替代型号IXFH10N100P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH10N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1000V 10A | 当前型号 | TO-247 N-CH 1000V 10A | 当前型号 |
| 型号： IXTH10N100D2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1000V 10A | 类似代替 | N-CH 1000V 10A | IXFH10N100P和IXTH10N100D2的区别 |
| 型号： IXTH10N100D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 | IXFH10N100P和IXTH10N100D的区别 |