IXTQ64N25P

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-3P N-CH 250V 64A

通孔 N 通道 250 V 64A（Tc） 400W（Tc） TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin3+Tab TO-3P

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P

Win Source:
MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P

IXTQ64N25P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 64.0 A

极性 N-CH

耗散功率 400W Tc

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 64.0 A

上升时间 23.0 ns

输入电容Ciss 3450pF @25VVds

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube, Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTQ64N25P引脚图与封装图

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替代型号IXTQ64N25P

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