锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-268 N-CH 55V 360A

表面贴装型 N 通道 55 V 360A(Tc) 935W(Tc) TO-268AA


得捷:
MOSFET N-CH 55V 360A TO268


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 360A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 360A TO268


IXTT360N055T2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 935W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 360A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 20000pF @25VVds

下降时间 56 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 935W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTT360N055T2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTT360N055T2
型号 制造商 描述 购买
IXTT360N055T2 IXYS Semiconductor TO-268 N-CH 55V 360A 搜索库存
替代型号IXTT360N055T2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTT360N055T2

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2 N-CH 55V 360A

当前型号

TO-268 N-CH 55V 360A

当前型号

型号: IXTH360N055T2

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-CH 55V 360A

类似代替

TO-247 N-CH 55V 360A

IXTT360N055T2和IXTH360N055T2的区别