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IXTH360N055T2、IXTT360N055T2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH360N055T2 IXTT360N055T2

描述 TO-247 N-CH 55V 360ATO-268 N-CH 55V 360A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-268-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 935W (Tc) 935W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 360A 360A

输入电容(Ciss) 20000pF @25V(Vds) 20000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 935W (Tc) 935W (Tc)

上升时间 - 23 ns

下降时间 - 56 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free