IXTH20N50D
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH20N50D中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 400 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 20A
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
额定功率Max 400 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.3 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH20N50D引脚图与封装图 
IXTH20N50D引脚图
IXTH20N50D封装焊盘图
在线购买IXTH20N50D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH20N50D | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 500V 20A | 搜索库存 |
替代型号IXTH20N50D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH20N50D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 500V 20A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 500V 20A | 当前型号 |
| 型号： IXTT20N50D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3Pin2+Tab TO-268 | IXTH20N50D和IXTT20N50D的区别 |