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IXTH20N50D、IXTT20N50D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH20N50D IXTT20N50D

描述 TO-247AD N-CH 500V 20ATrans MOSFET N-CH 500V 20A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-268-3

耗散功率 400 W 400W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

上升时间 - 85 ns

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

下降时间 - 75 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc)

通道数 1 -

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 20A -

额定功率(Max) 400 W -

封装 TO-247-3 TO-268-3

宽度 5.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free