IXTQ110N10P

IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 100V 110A

通孔 N 通道 100 V 110A（Tc） 480W（Tc） TO-3P

立创商城:
N沟道 100V 110A

得捷:
MOSFET N-CH 100V 110A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-3P

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P

IXTQ110N10P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 480W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 110A

输入电容Ciss 3550pF @25VVds

额定功率Max 480 W

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTQ110N10P引脚图与封装图

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替代型号IXTQ110N10P

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