IXTT60N20L2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTT60N20L2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 540 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 10500pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTT60N20L2引脚图与封装图
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在线购买IXTT60N20L2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTT60N20L2 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 60A Automotive 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXTT60N20L2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTT60N20L2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 60A Automotive 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXTH60N20L2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 200V 60A | 完全替代 | TO-247 N-CH 200V 60A | IXTT60N20L2和IXTH60N20L2的区别 |
| 型号： IXFT50N20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 200V 50A | 类似代替 | TO-268 N-CH 200V 50A | IXTT60N20L2和IXFT50N20的区别 |
| 型号： IXTA60N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263AA-3 N-CH 200V 60A | 功能相似 | TO-263AA N-CH 200V 60A | IXTT60N20L2和IXTA60N20T的区别 |