IXTA36N30P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA36N30P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 36A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA36N30P引脚图与封装图
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在线购买IXTA36N30P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA36N30P | IXYS Semiconductor | N沟道 300V 36A | 搜索库存 |
替代型号IXTA36N30P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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