IXTA36N30P、IXTP36N30P、IXTQ36N30P对比区别
型号 IXTA36N30P IXTP36N30P IXTQ36N30P
描述 N沟道 300V 36AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 300V 36A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-3-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 300 W 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 36A 36A 36A
上升时间 30 ns 30 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W
下降时间 28 ns 28 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.092 Ω -
阈值电压 - 5.5 V -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-3-3
长度 - 10.66 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free