IXTA3N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA3N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 3.00 A
耗散功率 70W Tc
输入电容 411 pF
栅电荷 9.80 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 411pF @25VVds
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXTA3N60P引脚图与封装图
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在线购买IXTA3N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA3N60P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin2+Tab TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA3N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA3N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 600V 3A 411pF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin2+Tab TO-263 | 当前型号 |
| 型号： IXTY3N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252 600V 3A 411pF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin2+Tab DPAK | IXTA3N60P和IXTY3N60P的区别 |
| 型号： IXTP3N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-Channel 600V 3A | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTP3N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 2.9 ohm, 10 V, 5.5 V | IXTA3N60P和IXTP3N60P的区别 |