IXTA3N60P、IXTY3N60P、IXTP3N60P对比区别

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型号 IXTA3N60P IXTY3N60P IXTP3N60P

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin(2+Tab) TO-263Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin(2+Tab) DPAKIXYS SEMICONDUCTOR  IXTP3N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 2.9 ohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 2.9 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 70W (Tc) 70W (Tc) 70 W

阈值电压 - 5.5 V 5.5 V

输入电容 411 pF 411 pF 411 pF

栅电荷 9.80 nC 9.80 nC 9.80 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 3.00 A

上升时间 - 25 ns 25 ns

反向恢复时间 - - 500 ns

输入电容(Ciss) 411pF @25V(Vds) 411pF @25V(Vds) 411pF @25V(Vds)

下降时间 - 22 ns 22 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)

额定功率(Max) - 70 W -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -