IXTK120P20T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK120P20T中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 30 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1.04 kW
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 73000pF @25VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1040000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTK120P20T引脚图与封装图
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在线购买IXTK120P20T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK120P20T | IXYS Semiconductor | TO-264AA P-CH 200V 120A | 搜索库存 |
替代型号IXTK120P20T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTK120P20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 P-CH 200V 120A | 当前型号 | TO-264AA P-CH 200V 120A | 当前型号 |
| 型号： IXTX120P20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 P-CH 200V 120A | 功能相似 | P沟道 200V 120A | IXTK120P20T和IXTX120P20T的区别 |