IXTK120P20T、IXTX120P20T对比区别

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型号 IXTK120P20T IXTX120P20T

描述 TO-264AA P-CH 200V 120AP沟道 200V 120A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-264-3 TO-247-3

漏源极电阻 30 mΩ -

极性 P-CH P-CH

耗散功率 1.04 kW -

阈值电压 4.5 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V -

连续漏极电流(Ids) 120A 120A

上升时间 85 ns -

输入电容(Ciss) 73000pF @25V(Vds) 73000pF @25V(Vds)

下降时间 50 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1040000 mW -

长度 20.29 mm -

宽度 5.31 mm -

高度 26.59 mm -

封装 TO-264-3 TO-247-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free