IXTH90P10P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
耗散功率 462 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 77 ns
输入电容Ciss 5800pF @25VVds
额定功率Max 462 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 462W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTH90P10P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTH90P10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 | |
型号: IXTT90P10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 | 完全替代 | P沟道 100V 90A | IXTH90P10P和IXTT90P10P的区别 |