IXTX46N50L
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTX46N50L中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 160 mΩ
耗散功率 700 W
阈值电压 6 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTX46N50L引脚图与封装图
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在线购买IXTX46N50L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTX46N50L | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 46A 3Pin3+Tab PLUS 247 | 搜索库存 |
替代型号IXTX46N50L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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