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IXTK46N50L、IXTX46N50L、IXFH42N50P2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTK46N50L IXTX46N50L IXFH42N50P2

描述 N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 500V 46A 3Pin(3+Tab) PLUS 247N沟道 500V 42A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 160 mΩ 145 mΩ

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 700 W 700 W 830 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 46A - 42A

上升时间 50 ns 50 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 7000pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

下降时间 42 ns 42 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 700W (Tc) 700W (Tc) 830W (Tc)

阈值电压 6 V 6 V -

额定功率(Max) 700 W 700 W -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 19.96 mm 16.13 mm -

宽度 5.13 mm 5.21 mm -

高度 26.16 mm 21.34 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free