IXFP130N10T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFP130N10T中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 9.1 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 130A
输入电容Ciss 5080pF @25VVds
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFP130N10T引脚图与封装图
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在线购买IXFP130N10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFP130N10T | IXYS Semiconductor | TO-220 N-CH 100V 130A | 搜索库存 |
替代型号IXFP130N10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFP130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 100V 130A | 当前型号 | TO-220 N-CH 100V 130A | 当前型号 |
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| 型号： IXFA130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 N-CH 100V 130A | 类似代替 | TO-263AA N-CH 100V 130A | IXFP130N10T和IXFA130N10T的区别 |