通道数 1
漏源极电阻 540 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 327 W
阈值电压 3V ~ 5V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1480pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 327W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFA14N60P3 | IXYS Semiconductor | TO-263AA N-CH 600V 14A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFA14N60P3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 N-CH 600V 14A | 当前型号 | TO-263AA N-CH 600V 14A | 当前型号 | |
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型号: IXFH14N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 N-Channel 600V 14A 550mΩ 2.3nF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFA14N60P3和IXFH14N60P的区别 | |
型号: IXFH14N60P3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 600V 14A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFA14N60P3和IXFH14N60P3的区别 |