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IXFA14N60P3、IXFH14N60P、IXFA14N60P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFA14N60P3 IXFH14N60P IXFA14N60P

描述 TO-263AA N-CH 600V 14AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Single N-Channel 600V 300W 36NC Surface Mount Power Mosfet - TO-263

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 540 mΩ 550 mΩ 550 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 327 W 300W (Tc) 300 W

阈值电压 3V ~ 5V - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 14A 14.0 A 14.0 A

上升时间 15 ns 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 1480pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns 26 ns 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 327W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 14.0 A 14.0 A

输入电容 - 2.30 nF 2.30 nF

栅电荷 - 38.0 nC 38.0 nC

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3

长度 - 16.26 mm 9.9 mm

宽度 - 5.3 mm 9.2 mm

高度 - 21.46 mm 4.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -