IXTT440N055T2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 1000W Tc
漏源极电压Vds 55 V
输入电容Ciss 25000pF @25VVds
耗散功率Max 1000W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTT440N055T2 | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 55V 440A To-268 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTT440N055T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 | 当前型号 | Mosfet n-Ch 55V 440A To-268 | 当前型号 | |
型号: IXTH440N055T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 | 类似代替 | N沟道 55V 440A | IXTT440N055T2和IXTH440N055T2的区别 |