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IXTH440N055T2、IXTT440N055T2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH440N055T2 IXTT440N055T2

描述 N沟道 55V 440AMosfet n-Ch 55V 440A To-268

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-268-3

耗散功率 1000W (Tc) 1000W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 25000pF @25V(Vds) 25000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 1000W (Tc) 1000W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free