通道数 1
漏源极电阻 9.1 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 130A
输入电容Ciss 5080pF @25VVds
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFA130N10T | IXYS Semiconductor | TO-263AA N-CH 100V 130A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFA130N10T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263-3 N-CH 100V 130A | 当前型号 | TO-263AA N-CH 100V 130A | 当前型号 | |
型号: IXFP130N10T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220-3 N-CH 100V 130A | 类似代替 | TO-220 N-CH 100V 130A | IXFA130N10T和IXFP130N10T的区别 | |
型号: IXTA130N10T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263-3 | 类似代替 | N沟道 100V 130A | IXFA130N10T和IXTA130N10T的区别 | |
型号: IXTQ130N10T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 | 类似代替 | N沟道 100V 130A | IXFA130N10T和IXTQ130N10T的区别 |