IXFK38N80Q2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK38N80Q2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 220 mΩ
耗散功率 735 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 8340pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 735W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXFK38N80Q2引脚图与封装图
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在线购买IXFK38N80Q2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK38N80Q2 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |
替代型号IXFK38N80Q2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK38N80Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin3+Tab TO-264AA | 当前型号 |
| 型号： IXFX38N80Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin3+Tab PLUS 247 | IXFK38N80Q2和IXFX38N80Q2的区别 |