额定电压DC 600 V
额定电流 26.0 A
通道数 1
漏源极电阻 270 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 460 W
阈值电压 5 V
输入电容 4.15 nF
栅电荷 72.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4150pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXTQ26N60P | IXYS Semiconductor | TO-3P N-CH 600V 26A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXTQ26N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 N-CH 600V 26A 4.15nF | 当前型号 | TO-3P N-CH 600V 26A | 当前型号 | |
型号: IXFQ28N60P3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 N-Channel 600V 28A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTQ26N60P和IXFQ28N60P3的区别 | |
型号: IXTH26N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 N-CH 600V 26A 4.15nF | 类似代替 | N沟道 600V 26A | IXTQ26N60P和IXTH26N60P的区别 | |
型号: IXFH26N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 N-Channel 600V 26A 270mΩ 4.15nF | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTQ26N60P和IXFH26N60P的区别 |