IXTP86N20T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP86N20T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP86N20T引脚图与封装图
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在线购买IXTP86N20T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP86N20T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3Pin3+Tab TO-220 | 搜索库存 |
替代型号IXTP86N20T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP86N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3Pin3+Tab TO-220 | 当前型号 |
| 型号： IXTA86N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3Pin2+Tab TO-263AA | IXTP86N20T和IXTA86N20T的区别 |
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