IHW30N60TFKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 187000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 187 W 通孔 PG-TO247-3-1

得捷:
IGBT 600V 60A 187W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 600V 60A 187W TO247-3

IHW30N60TFKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 187000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 187 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 187000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IHW30N60TFKSA1引脚图与封装图

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