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IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB160N04S4H1ATMA1, 160 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

IPB160N04S4H1ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.0014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 167 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 160A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 8400pF @25VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec, Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPB160N04S4H1ATMA1引脚图与封装图
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