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IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N-沟道 60 V 80 A 4.7 mΩ 37 nC OptiMOS 3 功率 晶体管 - TO-220

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052N06L3GXKSA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3


IPP052N06L3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 115 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-CH

耗散功率 115 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 8400pF @30VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP052N06L3GXKSA1引脚图与封装图
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