IPI65R420CFDXKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262-3

欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.7A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO262-3

IPI65R420CFDXKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 83.3 W

极性 N-CH

耗散功率 83.3W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 8.7A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 870pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IPI65R420CFDXKSA1引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IPI65R420CFDXKSA1	Infineon 英飞凌	Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装	搜索库存

替代型号IPI65R420CFDXKSA1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IPI65R420CFDXKSA1 品牌： Infineon 英飞凌封装： TO-262-3 N-CH 700V 8.7A	当前型号	Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装	当前型号
型号： IPI65R420CFD 品牌：英飞凌封装： I2PAK-3 N-CH 650V 8.7A	类似代替	Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能	IPI65R420CFDXKSA1和IPI65R420CFD的区别
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