IPB180N03S4LH0ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 1.1 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 188 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 17500pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec, Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPB180N03S4LH0ATMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N03S4LH0ATMA1, 180 A, Vds=30 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装 | 搜索库存 |