
额定功率 79 W
极性 N-Channel
耗散功率 79.0 W
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 3700pF @30VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPB081N06L3G | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPB081N06L3G 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAKTO-263 N-Channel | 当前型号 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 | |
型号: IPB085N06LG 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 60V 80A 3.5nF | 功能相似 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | IPB081N06L3G和IPB085N06LG的区别 | |
型号: IPB110N06LG 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 60V 78A 2.7nF | 功能相似 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | IPB081N06L3G和IPB110N06LG的区别 |