锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPB081N06L3G

IPB081N06L3G

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3


IPB081N06L3G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 79 W

极性 N-Channel

耗散功率 79.0 W

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 3700pF @30VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 79 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPB081N06L3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB081N06L3G
型号 制造商 描述 购买
IPB081N06L3G Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPB081N06L3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB081N06L3G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: D2PAKTO-263 N-Channel

当前型号

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号: IPB085N06LG

品牌: 英飞凌

封装: TO-263 60V 80A 3.5nF

功能相似

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

IPB081N06L3G和IPB085N06LG的区别

型号: IPB110N06LG

品牌: 英飞凌

封装: TO-263 60V 78A 2.7nF

功能相似

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

IPB081N06L3G和IPB110N06LG的区别